IRF6603　International Rectifier社製　MOSFET　

基本情報

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型    番：IRF6603

カテゴリー： MOSFET

メーカー：International Rectifier

状　況：在庫　新品　オリジナル

詳細

メーカ: International Rectifier

製品カテゴリー: MOSFET

RoHS: いいえ

Id - 連続ドレイン電流: 28 A

Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧: 30 V

Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース: 5.5 mOhms

トランジスタ極性: N-Channel

Vgs - ゲート - ソース間破壊電圧: 12 V

Qg - ゲート電荷: 11 nC

最高動作温度: + 150 C

Pd - 電力損失: 42 W

取り付け様式: SMD/SMT

パッケージ/ケース: DirectFET-7

パッケージ化: Reel

ブランド: International Rectifier

チャネルモード: Enhancement

構成: Single Dual Drain Dual Source

下降時間: 71 ns

最低動作温度: - 40 C

上昇時間: 9.9 ns

工場パックの数量: 4800

標準電源切断遅延時間: 24 ns

データシート：　 

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