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基本情報 |
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データシートIRFB4227 |
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型 番：IRFB4227PBF |
カテゴリー：MOSFET MOSFT 200V 65A 26mOhm 70nC Qg |
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メーカー：IR |
状 況：在庫 新品 オリジナル |
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鉛フリーステータス / RoHS ステータス: 鉛フリー / RoHS対応 |
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詳細 製品カテゴリー: MOSFET メーカ: Infineon RoHS: RoHS対応品 詳細 技術: Si 取り付け様式: Through Hole パッケージ/ケース: TO-220-3 チャンネル数: 1 Channel トランジスタ極性: N-Channel Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧: 200 V Id - 連続ドレイン電流: 65 A Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース: 24 mOhms Vgs - ゲート-ソース間電圧: 30 V Qg - ゲート電荷: 70 nC 最高動作温度: + 175 C パッケージ化: Tube チャネルモード: Enhancement ブランド: Infineon Technologies 構成: Single 下降時間: 31 ns 順方向トランスコンダクタンス - 最小: 49 S 最低動作温度: - 40 C Pd - 電力損失: 330 W 上昇時間: 20 ns 工場パックの数量: 50 トランジスタ タイプ: 1 N-Channel 標準電源切断遅延時間: 21 ns ターンオン時の標準遅延時間: 33 ns 単位重量: 6 g |
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支払い方法 |
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１. 電信為替（T/T ）２. ペイパル（PayPal）３. ウエスタンユニオン（Western Union） |
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お届け |
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お届け方法 |
１.中国流通王 ２.佐川急便 ３.この他 |
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送 料 （中国流通王） |
０.５キログラム以内、１５ドル ０.５キログラム追加につき、５ドル （例えば、０.７キログラムの送料は１５＋５＝２０ドル；２.９キログラムの送料は１５＋５ｘ５＝４０ドル） |
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引き渡し時間 |
ご送金が届いた後、２－３仕事日以内発送です。目的地に到着するのは２－３仕事日かかります。（国家指定休日はこの以外） |
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保証 |
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注文 |
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