IPD30N06S2L-23 MOSFET N-Ch 55V 30A DPAK-2 OptiMOS

基本情報

データシートIPD30N06S2L-23

型    番：IPD30N06S2L-23

カテゴリー： 集積回路

メーカー：Infineon

状　況：在庫　新品　オリジナル

鉛フリーステータス / RoHS ステータス: 鉛フリー / RoHS対応

詳細

製品カテゴリー: MOSFET 

メーカ: Infineon   

RoHS:   RoHS対応品 詳細

技術:   Si 

取り付け様式:   SMD/SMT

パッケージ/ケース:  TO-252-3   

チャンネル数:   1 Channel  

トランジスタ極性:   N-Channel  

Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:  55 V   

Id - 連続ドレイン電流:  30 A   

Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース: 15.9 mOhms 

Vgs - ゲート-ソース間電圧:  20 V   

Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:    1.2 V  

Qg - ゲート電荷:    42 nC  

最低動作温度:   - 55 C 

最高動作温度:   + 175 C

パッケージ化:   Reel   

チャネルモード: Enhancement

トレードネーム: OptiMOS

ブランド:   Infineon Technologies  

構成:   1 N-Channel

下降時間:   9 ns   

高さ:   2.3 mm 

長さ:   6.5 mm 

Pd - 電力損失:  100 W  

上昇時間:   22 ns  

シリーズ:   OptiMOS

工場パックの数量:   2500   

トランジスタ タイプ:    1 N-Channel

標準電源切断遅延時間:   33 ns  

ターンオン時の標準遅延時間: 7 ns   

幅: 6.22 mm

別の部品番号:   IPD30N06S2L23ATMA1 IPD30N06S2L23ATMA3 SP001061286

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