BSC070N10NS3G 集積回路 MOSFET N-Ch 100V 90A

基本情報

データシートBSC070N10NS3G

型    番：BSC070N10NS3G

カテゴリー： 集積回路

メーカー：INFINEON

状　況：在庫　新品　オリジナル

鉛フリーステータス / RoHS ステータス: 鉛フリー / RoHS対応

詳細

製品カテゴリー: MOSFET 

メーカ: Infineon   

RoHS:RoHS対応品 詳細   

技術:Si

取り付け様式:SMD/SMT   

パッケージ/ケース:TDSON-8  

チャンネル数:1 Channel 

トランジスタ極性:N-Channel 

Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:100 V

Id - 連続ドレイン電流:90 A 

Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース: 6.3 mOhms  

Vgs - ゲート-ソース間電圧:20 V 

Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:2 V

Qg - ゲート電荷:55 nC  

最低動作温度:- 55 C

最高動作温度:+ 150 C   

パッケージ化:Reel  

チャネルモード: Enhancement

トレードネーム: OptiMOS

ブランド:Infineon Technologies 

構成:1 N-Channel   

下降時間:8 ns  

順方向トランスコンダクタンス - 最小:36 S   

高さ:1.27 mm   

長さ:5.9 mm

Pd - 電力損失:114 W

上昇時間:10 ns 

シリーズ:OptiMOS 3 

工場パックの数量:5000  

トランジスタ タイプ:1 N-Channel

標準電源切断遅延時間:29 ns 

ターンオン時の標準遅延時間: 15 ns  

幅: 5.15 mm

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