データシートNE3210S01 |
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型 番:NE3210S01 |
カテゴリー: 集積回路 |
メーカー:CEL |
状 況:在庫 新品 オリジナル |
鉛フリーステータス / RoHS ステータス: 鉛フリー / RoHS対応 |
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詳細 製品カテゴリー:RF JFET トランジスター メーカ:CEL RoHS:RoHS対応品 詳細 トランジスタ タイプ:HFET 技術:GaAs ゲイン:13.5 dB トランジスタ極性:N-Channel Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:4 V Vgs - ゲート - ソース間破壊電圧:- 3 V Id - 連続ドレイン電流:70 mA 最高動作温度:+ 125 C Pd - 電力損失:165 mW 取り付け様式:SMD/SMT パッケージ/ケース:SO-1 パッケージ化:Bulk ブランド:CEL 順方向トランスコンダクタンス - 最小:55 mS ゲート - ソース間カットオフ電圧:2 V NF - 雑音指数:0.35 dB 動作周波数:12 GHz 製品:RF JFET 工場パックの数量:1 タイプ:GaAs HFET |
支払い方法 |
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お届け |
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お届け方法 |
1.中国流通王 2.佐川急便 3.この他 |
送 料 (中国流通王) |
0.5キログラム以内、15ドル 0.5キログラム追加につき、5ドル (例えば、0.7キログラムの送料は15+5=20ドル;2.9キログラムの送料は15+5x5=40ドル) |
引き渡し時間 |
ご送金が届いた後、2-3仕事日以内発送です。目的地に到着するのは2-3仕事日かかります。(国家指定休日はこの以外) |
保証 |
注文 |
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