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データシートCSD25310Q2 |
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型 番：CSD25310Q2 |
カテゴリー： 集積回路 |
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メーカー：Texas Instruments |
状 況：在庫 新品 オリジナル |
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鉛フリーステータス / RoHS ステータス: 鉛フリー / RoHS対応 |
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詳細 メーカ: Texas Instruments 製品カテゴリー: MOSFET 技術: Si 取り付け様式: SMD/SMT パッケージ/ケース: WSON-6 チャンネル数: 1 Channel トランジスタ極性: P-Channel Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧: 20 V Id - 連続ドレイン電流: 20 A Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース: 23.9 mOhms Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧: 550 mV Vgs - ゲート-ソース間電圧: - 4.5 V Qg - ゲート電荷: 3.6 nC 最低動作温度: - 40 C 最高動作温度: + 85 C 構成: Single Quad Source Pd - 電力損失: 2.9 W チャネルモード: Enhancement トレードネーム: NexFET パッケージ化: Cut Tape パッケージ化: Mouse Reel パッケージ化: Reel 高さ: 0.75 mm 長さ: 2 mm シリーズ: CSD25310Q2 トランジスタ タイプ: 1 P-Channel Power MOSFET 幅: 2 mm ブランド: Texas Instruments CNHTS: 8541290000 下降時間: 5 ns HTS Code: 8542390001 MXHTS: 85423901 製品タイプ: MOSFET 上昇時間: 15 ns 工場パックの数量: 3000 サブカテゴリ: MOSFETs TARIC: 8542399000 |
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支払い方法 |
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１. 電信為替（T/T ）２. ペイパル（PayPal）３. ウエスタンユニオン（Western Union） |
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お届け |
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お届け方法 |
１.中国流通王 ２.佐川急便 ３.この他 |
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送 料 （中国流通王） |
０.５キログラム以内、１５ドル ０.５キログラム追加につき、５ドル （例えば、０.７キログラムの送料は１５＋５＝２０ドル；２.９キログラムの送料は１５＋５ｘ５＝４０ドル） |
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引き渡し時間 |
ご送金が届いた後、２－３仕事日以内発送です。目的地に到着するのは２－３仕事日かかります。（国家指定休日はこの以外） |
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保証 |
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注文 |
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