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型 番：IRF3808STRRPBF |
カテゴリー： 集積回路 |
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メーカー：IR |
状 況：在庫 新品 オリジナル |
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鉛フリーステータス / RoHS ステータス: 鉛フリー / RoHS対応 |
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詳細
製品カテゴリー:MOSFET RoHS: 詳細 技術:Si 取り付け様式:SMD/SMT パッケージ/ケース:TO-252-3 チャンネル数:1 Channel トランジスタ極性:N-Channel Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:75 V Id - 連続ドレイン電流:106 A Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:7 mOhms Vgs - ゲート-ソース間電圧:20 V Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:4 V Qg - ゲート電荷:150 nC 最低動作温度:- 55 C 最高動作温度:+ 175 C Pd - 電力損失:200 W 構成:Single チャネルモード:Enhancement パッケージ化:Reel 高さ:2.3 mm 長さ:6.5 mm トランジスタ タイプ:1 N-Channel 幅:6.22 mm ブランド:Infineon Technologies 順方向トランスコンダクタンス - 最小:100 S 下降時間:120 ns 製品タイプ:MOSFET 上昇時間:140 ns 工場パックの数量:800 サブカテゴリ:MOSFETs 標準電源切断遅延時間:68 ns ターンオン時の標準遅延時間:16 ns 別の部品番号:IRF3808STRRPBF 単位重量:4 g |
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支払い方法 |
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１. 電信為替（T/T ）２. ペイパル（PayPal）３. ウエスタンユニオン（Western Union） |
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お届け |
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お届け方法 |
１.中国流通王 ２.佐川急便 ３.この他 |
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送 料 （中国流通王） |
０.５キログラム以内、１５ドル ０.５キログラム追加につき、５ドル （例えば、０.７キログラムの送料は１５＋５＝２０ドル；２.９キログラムの送料は１５＋５ｘ５＝４０ドル） |
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引き渡し時間 |
ご送金が届いた後、２－３仕事日以内発送です。目的地に到着するのは２－３仕事日かかります。（国家指定休日はこの以外） |
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保証 |
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注文 |
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