データシートSSM3K35CTC |
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型 番:SSM3K35CTC |
カテゴリー: 集積回路 |
メーカー:TOSHIBA |
状 況:在庫 新品 オリジナル |
鉛フリーステータス / RoHS ステータス: 鉛フリー / RoHS対応 |
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詳細 メーカ:Toshiba 製品カテゴリー:MOSFET RoHS: 詳細 技術:Si 取り付け様式:SMD/SMT パッケージ/ケース:CST3C-3 トランジスタ極性:N-Channel チャンネル数:1 Channel Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:20 V Id - 連続ドレイン電流:250 mA Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:1.1 Ohms Vgs - ゲート-ソース間電圧:4.5 V Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:350 mV Qg - ゲート電荷:0.34 nC 最高動作温度:+ 150 C Pd - 電力損失:500 mW チャネルモード:Enhancement トレードネーム:U-MOSIII パッケージ化:Cut Tape パッケージ化:MouseReel パッケージ化:Reel 構成:Single 高さ:0.38 mm 長さ:0.8 mm シリーズ:SSM3K35 トランジスタ タイプ:1 N-Channel 幅:0.6 mm ブランド:Toshiba 下降時間:5.5 ns 製品タイプ:MOSFET 上昇時間:2 ns 工場パックの数量:10000 サブカテゴリ:MOSFETs 標準電源切断遅延時間:6.5 ns ターンオン時の標準遅延時間:2 ns 単位重量:0.550 mg |
支払い方法 |
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お届け |
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お届け方法 |
1.中国流通王 2.佐川急便 3.この他 |
送 料 (中国流通王) |
0.5キログラム以内、15ドル 0.5キログラム追加につき、5ドル (例えば、0.7キログラムの送料は15+5=20ドル;2.9キログラムの送料は15+5x5=40ドル) |
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