明佳達電子有限会社供給およびリサイクル NXP トランジスタ PSMN4R8-100BSE MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
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製品型式：PSMN4R8-100BSE
メーカー：NXP
年: 21歳以上
パッケージ: TO-263
製品特性
製品カテゴリ: MOSFET
トランジスタの極性: N チャネル
チャネル数: 1 チャネル
Vds-ドレイン-ソース間耐圧: 100 V
Id-連続ドレイン電流: 120 A
Rds オンドレイン ソースオン抵抗: 4.8 mOhms
Vgs - ゲート - ソース間電圧: - 20 V、+ 20 V
Vgs th-gate-source しきい値電圧: 3 V
Qg ゲート電荷: 196 nC
最低動作温度: - 55 C
最大動作温度: + 175 C
Pd 消費電力: 405 W
インストール スタイル: SMD/SMT
パッケージ・ケース：TO-263-3
チャネル モード: 強化
ブランド: ネクスペリア
構成: シングル
立ち下がり時間: 69ns
製品タイプ: MOSFET
立ち上がり時間: 65ns
工場梱包数量：800
サブカテゴリ: MOSFET
トランジスタの種類: 1 N チャネル
標準ターンオフ遅延時間: 127 ns
標準的なターンオン遅延時間: 41 ns
