VNS1NV04DP は、標準の SO-8 パッケージにパッケージ化された 2 つのモノリシック OMNIFET II チップで構成されています。 OMNIFET II は、STMicroelectronics VIPower™ M0-3 テクノロジを使用して設計されています。これらは、DC から 50KHz までの標準的なパワー MOSFET アプリケーションを置き換えるように設計されています。 組み込みのサーマル シャットダウン、線形電流制限、および過電圧クランプが、過酷な環境でチップを保護します。 障害フィードバックを監視して、入力ピンの電圧を検出できます。
モデル: VNS1NV04DPTR
ブランド: ST
ロット番号: 1836+
パッケージ: SOP
仕様
スイッチタイプ ユニバーサル
出力数 2
比率 - 入力:出力 1:1
出力構成 ローサイド
出力タイプ Nチャンネル
インターフェイスのオン/オフ
電圧 - 負荷 36V (最大)
電圧 - 電源 (Vcc/Vdd) 不要
電流 - 出力 (最大) 1.7A
オン抵抗 (標準) 250 ミリオーム (最大)
入力タイプ 非反転
特徴 -
フォルト保護電流制限 (固定)、過熱、過電圧
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ 表面実装
サプライヤー デバイス パッケージ 8-SOIC
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154 インチ、幅 3.90mm)
