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3V、4M-BITメモリ MX25L4006EZNI-12G CMOSシリアルフラッシュ

明佳達の電子供給は 3V の 4M-BIT 記憶 MX25L4006EZNI-12G CMOS の連続フラッシュ・メモリ、新しく、元の、受け入れられる価格交渉可能の実質の順序、利害関係者は尋ねるために歓迎されています!
 
メーカー:MXIC
モデル: MX25L4006EZNI-12G
年:15+
パッケージ:QFN
詳細: フラッシュ - NOR メモリ IC 4Mb (512K x 8) SPI 86 MHz 8-WSON (6x5)
 
製品仕様
メモリータイプ 不揮発性  
メモリーフォーマット フラッシュ  
技術 FLASH - NOR  
記憶容量 4Mb (512K x 8)  
メモリインタフェース SPI  
クロック周波数 86MHz  
書き込みサイクルタイム - ワード、ページ 50μs、3ms  
電圧 - 供給電圧 2.7V ~ 3.6V  
動作温度 - 40°C ~ 85°C (TA)  
取付方式 表面取付型  
パッケージ/ケース 8-WDFN 露出ボトムパッド  
サプライヤー デバイスパッケージ 8-WSON (6x5) 
MX25L4006EZNI-12G.png 
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クリック数:0 | 更新タイム:2022-11-09 16:18:16
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