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デュアルNチャンネル PMGD280UN MOSFETアレイ 20V 870mA 400mW 表面実装 6-TSSOP

深圳市明佳達電子有限会社供給 デュアルNチャンネルMOSFET「PMGD280UN」アレイ 20V 870mA 400mW 表面実装 6-TSSOP
 
モデル番号:PMGD280UN
製品タイプ: MOSFET
技術:Si
マウントスタイル: SMD/SMT
パッケージ/ケース: TSSOP-6
トランジスタの極性: Nチャンネル
チャンネル数:2チャンネル
Vds-ドレイン・ソース降伏電圧:20 V
Id-ドレイン連続電流:870 mA
Rds On-ドレイン・ソース間オン抵抗: 340 mOhms
Vgs - ゲートソース電圧: - 8 V, + 8 V
Vgs th - ゲートソースしきい値電圧:450 mV
Qg - ゲート電荷量: 0.89 nC
最低動作温度: - 55 C
最大動作温度: + 150 C
Pd - 許容損失: 400 mW
チャネルモード:エンハンスメント
工場出荷時のパッケージ数量: 3000
 
応用例
ドライバ回路 
携帯用電化製品のスイッチング
PMGD280UN.jpg
連絡先の詳細
担当者名: 陳さん
電話: +8613410018555
電子メール:sales@hkmjd.com 
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