製品情報

BSM200GB120DN2

型番：BSM200GB120DN2
ブランド：Infineon

日付：13+ROHS
パッケージ：IGBT
原価：500
数量：38538
PDF電子ファイル：

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詳細な説明

BSM200GB120DN2 - IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate) - Siemens Semiconductor Group

Manufacturer: Infineon

Product Category: IGBT Modules

RoHS: RoHS Compliant Details

Brand: Infineon Technologies

Product: IGBT Silicon Modules

Configuration: Half Bridge Module

Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1200 V

Collector-Emitter Saturation Voltage: 2.5 V

Continuous Collector Current at 25 C: 290 A

Gate-Emitter Leakage Current: 400 nA

Power Dissipation: 1.4 kW

Maximum Operating Temperature: + 150 C

Package / Case: Half Bridge2

Maximum Gate Emitter Voltage: 20 V

Mounting Style: Screw

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モデル	ブランド	日付	パッケージ	数量	発言	データ
BSM150GB60DLC	Infinoen	13+RoHs	IGBT	78005	100% 全新原装（Brand new)
BSM150GB120DN2	Infineon	13+RoHS	IGBT MODULE	500	全新原装正品现货(New and original in stock)
BSM150GB120D	Infineon	13+RoHS	IGBT MODULE	500	全新原装正品现货(New and original in stock)
BSM150GB120	Infineon	13+RoHS	IGBT MODULE	500	全新原装正品现货(New and original in stock)
BSM400GA120DN2S	EUPEC	13+RoHS	IGBT MODULE	500	全新原装正品现货(New and original in stock)
BSM100GB120DN2K	INFINEON	18+	MODULE	10000	原装现货original spot stock
BSM200GA120DN2	Infineon	13+ROHS	standard	86386	原装现货100% new and original in stock
BSM200GB120DN2	Infineon	13+ROHS	IGBT	38538	原装现货100% new and original in stock